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原位MEMS低溫電學(xué)測(cè)量系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測(cè)量系統(tǒng),是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測(cè)量或全溫區(qū)測(cè)量功能。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-09-23
  • 訪  問(wèn)  量:304

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品描述

PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)樣品桿,是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測(cè)量或全溫區(qū)測(cè)量功能。


• 性能指標(biāo)

透射電子顯微鏡指標(biāo):

△ 兼容型號(hào)電鏡及極靴;

△ 單傾可選高傾角版本;

△ 可選雙傾版本,β角傾轉(zhuǎn)±25°(同時(shí)受限于極靴);

△ 測(cè)量電極數(shù)可選。

電學(xué)測(cè)量指標(biāo):

△ 包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元;

△ 電壓輸出最大±200 V,最小±100 nV;

△ 電流測(cè)量最大±1.5 A,最小100 fA;

△ 恒壓或者恒流模式;

△ 自動(dòng)電流-電壓(I-V)測(cè)量、電流-時(shí)間(I-t)測(cè)量,自動(dòng)保存。

低溫指標(biāo):

△ 兼容MEMS加熱及電學(xué)芯片;

△ 全溫區(qū)測(cè)量,溫度范圍:85 K- 380 K;

△ 控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1 K;

△ 溫度連續(xù)可控 


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